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IT之家 2 月 13 日音问，据韩媒《Chosun Biz》报说念，韩好意思半导体（Hanmi Semiconductor ）于 11 日参预“Semicon Korea 2026”半导体展会，同步展示新式宽幅热压键合成就（IT之家注：Wide TC Bonder）。
据报说念，韩好意思半导体本日发布的新式宽幅热压键合成就主如果为下一代高带宽内存居品 HBM5、HBM6 打造，公司代表东说念主示意：“由于技艺繁难，HBM 量产所用的羼杂键合（Hybrid Bonder）成就交易化进度被推迟。而咱们的新式宽幅热压键合成就有望填补这一空缺”。
据悉，这项技艺可在 HBM Die 面积扩大时增多硅通孔（TSV）以及 I/O 数目，比拟传统的高堆叠形势疏忽改善功耗。同期还疏忽增多流畅 DRAM Die 的中介层（Interposer）与微凸点（Micro Bump）数目，有意于擢升内存容量以及带宽。
此外，这项技艺还可选配“无助焊剂（Fluxless）键合”，疏忽减少芯片名义的氧化层并增多接合强度，有助于进一步镌汰 HBM 的厚度。
该公司还觉得，这项技艺疏忽擢升 HBM 的坐褥良率、质料郴州股票配资综合门户网站_配资资讯行情与学习入口，为 HBM5、HBM6 的发展铺路。
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